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      上海伯東美國離子源應用于雙腔室高真空等離子 ALD 系統

      起訂量: 面議
      價 格: 面議
      品牌: KRI
      供貨總量: 面議
      發貨期限: 自買家付款之日起 3 天內發貨
      所在地: 上海
      有效期至: 長期有效
      最后更新: 2023-08-24 12:00
      關注人數: 550
      公司基本資料信息
      伯東企業(上海)有限公司
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      地址上海市外高橋保稅區希雅路33號17號樓B座3層,200131
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        KRI
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        上海

      上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 應用于雙腔室高真空等離子 ALD 系統, 實現小規模試驗中 2-4 英寸硅片等半導體襯底表面的清潔, 確保樣品表面清潔無污染, 滿足 TiN, ZnO, Al2O3, TiO2 等制備.
      KRi 離子源
      KRi 考夫曼離子源 KDC 40 預清潔可以實現
      去除物理吸附污染: 去除表面污染, 如水, 吸附氣體, 碳氫化合物殘留
      去除化學吸附污染: 去除天然和粘合材料. 如表面氧化物, 通常去除 < 100Å
      提高沉積薄膜附著力, 純度, 應力, 工藝效率等.
      離子源預清潔
      數據來源: 美國 KRi 原廠資料
      KRi 考夫曼離子源 KDC 40 技術參數
      上海伯東美國 KRi 小型低成本直流柵極離子源 KDC 40 是 3cm 考夫曼型離子源升級款. 具有更大的柵極, 更堅固, 可以配置自對準第三層柵極.  通過加熱燈絲產生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 提供低濃度高能量寬束型離子束.
      KDC 40 適用于所有的離子工藝, 例如預清洗, 表面改性, 輔助鍍膜, 濺射鍍膜, 離子蝕刻和沉積. 離子源 KDC 40 兼容惰性或活性氣體, 例如氧氣和氮氣. 標準配置下離子能量范圍 65 至 1200ev, 離子電流可以超過 140 mA.

      型號

      KDC 40

      陽極

      DC 直流

      陽極功率

      100W

      **大離子束流

      >100mA

      電壓

      100-1200V

      氣體

      惰性和反應氣體

      進氣流量

      2-10sccm

      壓力

      <0.5m Torr

      離子光學(自對準)

      OptiBeamTM

      離子束直徑

      4cm Φ max

      柵極

      鉬和石墨

      離子束形狀

      聚焦, 平行, 散射

      高度

      16cm

      直徑

      9cm


      上海伯東同時提供真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.
      1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD **域.

      若您需要進一步的了解 KRi 霍爾離子源, 請參考以下聯絡方式
      上海伯東: 羅小姐                                   臺灣伯東: 王小姐
      T: +86-21-5046-3511 ext 108              T: +886-3-567-9508 ext 161
      F: +86-21-5046-1322                            F: +886-3-567-0049
      M: +86 152-0195-1076( 微信同號 )      M: +886-975-571-910
      www.hakuto-china.cn                        www.hakuto-vacuum.com.tw
      上海伯東版權所有, 翻拷必究!

      聯系時請說是在機電商情網看到我的,謝謝!

       
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